韓國首爾半導(dǎo)體及其子公司首爾Viosys，于2016年9月9日，在美國加州向美國零售巨頭 Kmart 發(fā)起專利侵權(quán)訴訟。Kmart 是美國最大的打折零售商和全球最大的批發(fā)商之一，擁有1000多家門店，年銷售額達(dá)250億美元。
該訴訟針對在 Kmart 銷售的一款 LED 燈絲燈，首爾半導(dǎo)體表示 Kmart 銷售的該燈絲燈侵犯了首爾半導(dǎo)體 8 項(xiàng) LED 相關(guān)專利。
從該 LED 燈絲燈的包裝可以看出，該產(chǎn)品來自美國 Spotlite America Corporation(生產(chǎn)自中國)。但是，首爾半導(dǎo)體沒有直接起訴Spotlite，而是起訴終端零售商 Kmart。
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下面來逐一解析該訴訟涉及的8項(xiàng)專利。
No.1 US6942731
該專利由柏林工業(yè)大學(xué)于 2001 年申請，并于 2005 年獲得美國發(fā)明專利授權(quán)，2012 年專利權(quán)轉(zhuǎn)讓給首爾半導(dǎo)體。
該專利針對 GaN LED 外延過程中，3D生長+2D生長的工藝。
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No.2 US7626209
該專利由Seoul Opto Device于 2008 年申請，并于 2009 年獲得美國發(fā)明專利授權(quán)，2011 年專利權(quán)轉(zhuǎn)讓給首爾半導(dǎo)體，2014年專利權(quán)進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓給首爾Viosys。
該專利的權(quán)利要求為，量子阱結(jié)構(gòu)中，undoped-InGaN 和 Si-doped GaN組成復(fù)合勢壘層。
No3. US7906789
該專利由首爾半導(dǎo)體于2008年申請，并于2011年獲得美國發(fā)明專利授權(quán)。
該專利的權(quán)利要求為，(藍(lán)光LED+黃綠粉)和(藍(lán)光LED+紅粉)兩組光混合實(shí)現(xiàn)高顯色指數(shù)的白光。
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No4. US7951626
該專利由Seoul Opto Device于 2009 年申請，并于 2011 年獲得美國發(fā)明專利授權(quán)，2014年專利權(quán)轉(zhuǎn)讓給首爾Viosys。
該專利的權(quán)利要求為，將GaN外延片刻蝕出傾斜側(cè)壁的工藝方法。傾斜側(cè)壁是生產(chǎn)高壓芯片需要用到的。
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No5. US7982207
該專利由Seoul Opto Device于 2010年申請，并于 2011 年獲得美國發(fā)明專利授權(quán)，2014年專利權(quán)轉(zhuǎn)讓給首爾Viosys。
該專利的權(quán)利要求為，P-pad 下面有電流阻擋層，該阻擋層同時(shí)有反射光線的作用，減少pad吸光。
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No6. US8664638
該專利由Seoul Opto Device于 2011年申請，并于 2014年獲得美國發(fā)明專利授權(quán)，2014年專利權(quán)轉(zhuǎn)讓給首爾Viosys。
該專利的權(quán)利要求為，在Buffer層和N-GaN層之間，采用不同的溫度生長三層中間層。
No7. US8860331
該專利由首爾Viosys于 2013年申請，并于 2014年獲得美國發(fā)明專利授權(quán)。
該專利的權(quán)利要求為，AC LED 同時(shí)激發(fā)兩種熒光粉，兩種熒光粉的熒光衰減時(shí)間不同。
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No8. US9240529
該專利由諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授等人于2014年申請，并于 2016年1月獲得美國發(fā)明專利授權(quán)，目前專利權(quán)人為美國加州大學(xué)。
該專利的權(quán)利要求為，LED芯片上下雙面出光，固定至封裝支架上的透明板，從而LED芯片向下發(fā)出的光線可以該透明板出射。
準(zhǔn)確地切中了，燈絲封裝中芯片背面光線，從透明基板出射的要點(diǎn)。
在這項(xiàng)專利申請日期之前，中國企業(yè)早已投入大量研發(fā)資源進(jìn)行LED燈絲封裝研發(fā)，并且將產(chǎn)品推向了市場。但是，中國企業(yè)的專利布局缺失，現(xiàn)在已經(jīng)陷入被動(dòng)局面。
中村修二教授、臺灣晶元光電(詳見本公眾號，LED行業(yè)專利地雷(六)晶電訴Adamax燈絲專利侵權(quán))在燈絲產(chǎn)品上市銷售多年之后，還是申請到了占據(jù)核心技術(shù)點(diǎn)的專利。
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可見，專利分析與布局，什么時(shí)間開始都不晚，只要去做，總能得到對商業(yè)競爭有幫助的專利。
